所有作者：毕翱翔 康婷霞 朱俊
作者单位：武汉大学物理科学与技术学院
论文摘要：用浸渍法和干混法制备了一系列不同担载量、经不同烘烤温度及不同时间烘烤后的多孔氧化铝上担载氧化钨的样品（WO３/-Al２O３），分别用正电子湮没谱学、X射线衍射（XRD）、热分析（TG/DTA）、光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）等方法来表征W在-Al２O３表面的分散过程。实验揭示了W离子在多孔中的微观扩散机理。结果表明，在干混法样品中只有微量W能分散，其中碾磨对分散起着重要的作用；而在浸渍法样品中，W离子先进入二次孔表面的活性中心，高于１０％后以单层分散于非活性表面上，最大单层分散量为１８。５％（以WO３质量分数计），４００&#６１６１６；C以上的烘烤才能使W与载体发生相互作用，１h的烘烤已足够使钨离子分散。
关键词： 浸渍 干混 多孔氧化铝 氧化钨 分散
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