Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响

论文发布时间：[2010-05-05] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：魏琳琳孙志刚王一龙

作者单位：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

论文摘要：采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In２O３稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In２O３中的溶解度约为１０％，在溶解度范围内，Ni含量的增加能促进薄膜粒子的长大，并使磁性离子间交换作用增强，从而样品的颗粒尺寸、饱和磁化强度都随Ni含量的增加而增大。但Ni的掺入导致晶格畸变加重使样品可见光透过率随Ni的增加逐渐减小。随退火温度的增加，薄膜粒子的粒径和饱和磁化强度呈现出先增大后减小的趋势，退火温度５００℃时取得最大饱和磁化强度Ms=３５６emu/g，此时高的载流子浓度对光的散射增强，使５００℃使光透过率最低。

关键词：稀磁半导体 Ni-In2O3薄膜室温铁磁性可见光透过性

免费下载《Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响》PDF全文（已停止下载）
　　本站“论文下载”文章收集整理于“中国科技论文在线”，由于各种原因，本站已暂停论文下载！请前往“中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn/”免费下载！

〖返回材料科学论文列表〗

下一篇：碱激发高钙粉煤灰研制地聚合物胶凝材料