高长径比宏孔硅阵列光电化学腐蚀中孔径控制技术

论文发布时间：[2010-04-12] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：王国政王蓟秦旭磊付申成王洋李野端木庆铎

作者单位：长春理工大学理学院

论文摘要：高长径比宏孔硅阵列（MSA）在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔，引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构，本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验，重点研究了孔径控制技术。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线，讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法，并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流，实现了对孔径的控制，制备出孔深度为３１７&#６１５４９；m，长径比为１０５的MSA结构。

关键词：高长径比宏孔硅阵列光电化学腐蚀诱导坑

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