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氧化物厚度变动下的HfO2/SiO2堆栈陷阱性质

论文发布时间：[2010-04-20]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：蒋然 张燕

作者单位：山东大学物理学院

论文摘要：对HfO２/SiO２堆栈中四个区域（HfO２， HfO２/SiO２， SiO２ 和 SiO２/Si）的陷阱进行了比较分析。陷阱电荷俘获、释放行为显示，相对于SiO２层，陷阱缺陷更多的分布在HfO２体薄膜内。电容电压测试证实了上面的结论，并且可以推出在HfO２内的陷阱缺陷分布近似均匀分布。相对于氧化物内部（HfO２ 和SiO２ 内部区域），更多的陷阱缺陷分布在界面区域（HfO２/SiO２ 和SiO２/Si ）界面区域。

关键词： 溅射 过渡金属 介质 电学结构 高k

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