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基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制

论文发布时间：[2010-04-09]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：李长鸣 梁红伟 陈睿姝 冯秋菊 边继明 柳阳 骆英民 张贺秋 胡礼中 杜国同

作者单位：大连理工大学物理与光电工程学院

论文摘要：通过在n-ZnO与p-GaN之间引入AlGaN电子阻挡层，在电注入下利用该种结构实现了来自于ZnO的紫外发光。该异质结结构表现出典型的二极管整流特性，正向开启电压为１５V左右，发射较强的近紫外光。此外还研究了基于不同Ga掺杂的n型ZnO薄膜的该种结构的电致发光谱，发现随Ga掺杂量在一定范围内增加，电致发光峰位发生蓝移。通过比较n-ZnO/AlGaN/p-GaN与n-ZnO/p-GaN异质结发光器件的电致发光谱，证明了AlGaN层的引入能够有效抑制ZnO中电子向GaN层中，同时保证GaN中空穴注入到ZnO中，实现来自于ZnO的电致发光，并通过Anderson模型进行了理论解释。

关键词： n-ZnO/AlGaN/p-GaN异质结 金属有机化学气相沉积（MOCVD） 电致发光

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