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LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究

论文发布时间：[2010-03-12]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：王胜军 鲍景富

作者单位：电子科技大学集成电路与系统系

论文摘要：本文介绍了射频功率放大器的电-热记忆效应和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET）；通过MET LDMOS模型，对晶体管的静态工作点进行了理论分析，并利用Agilent ADS软件，以LDMOS场效应管为例进行了仿真，得到LDMOS FET的栅极温度特性，分析LDMOS FET结温对其参数尤其是静态工作点的影响，为减少射频功率放大器的电-热记忆效应提供依据。

关键词： LDMOS 功率放大器 栅极 温度特性 电-热记忆效应。

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