所有作者:何琼 王浩 汪汉斌 王喜娜 张军
作者单位:湖北大学物理学与电子技术学院
论文摘要:采用脉冲激光沉积方法在P型Si(100)和石英玻璃衬底上用ZnCoO陶瓷靶材制备出了Zn0。92Co0。08O薄膜。采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、紫外-可见透过光谱仪和振动样品磁强计对样品的表面形态、结构以及磁学性质进行了测试与分析。测试结果表明薄膜中掺杂的Co2+ 取代了ZnO晶格中Zn2+ 的位置。制备态的Zn0。92Co0。08O薄膜具有室温铁磁性并且其饱和磁化强度为6。3 emu/cm3。当将其在真空中进行退火,饱和磁化强度提高到7。0 emu/cm3。反之,若将其在氧气氛中进行退火,饱和磁化强度下降到4。2 emu/cm3。霍尔效应测量进一步表明氧空位浓度在调制稀磁半导体薄膜的铁磁性中起到重要的作用。
关键词: 稀磁半导体 氧化锌 钴掺杂 磁性能 缺陷
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