铬掺杂半绝缘氮化镓外延膜的结构和光学特性

论文发布时间：[2010-03-24] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：梅菲吴克敏潘杨韩涛刘昌

作者单位：武汉大学物理科学与技术学院，声光材料教育部重点实验室

论文摘要：本文研究了射频等离子体援助的分子束外延生长的铬掺杂半绝缘氮化镓外延膜的特性。铬的深受主能级特点，用来在蓝宝石衬底上生长半绝缘氮化镓外延膜，可应用于电子器件。外延层的室温面电阻达到１０１０ Ω/square。暗电导率的激子能量在０。４８ eV左右。递级的AlxGa１-xN/GaN (x=０。３-０。２)超晶格能过滤位错。透射电镜显示超晶格能明显减少位错密度。生长在铬掺杂半绝缘氮化镓外延层上的Al０。３５Ga０。６５N/GaN异质结的室温迁移率９６０cm２/Vs，面载流子浓度２。１×１０１３ cm-２。

关键词：铬掺杂半绝缘氮化镓外延膜超晶格分子束外延

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