衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响

论文发布时间：[2010-03-22] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：李硕石程轶梁红伟杜国同

作者单位：大连理工大学物理与光电工程学院

论文摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜，并对薄膜进行了X射线衍射(XRD)，霍尔（Hall）测试和光致发光（PL）测试。XRD测试结果表明，温度在５００℃至５５０℃之间时，ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高，当衬底温度进一步升高时，结晶质量开始下降。Hall测试和PL谱测试结果表明，衬底温度为５５０℃的样品具有最好的电学和光学性质。

关键词：衬底温度 Sb掺杂金属有机物化学气相沉积

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