烧结温度对SiO2-TiO2薄膜亲水性的影响

论文发布时间：[2010-03-23] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：夏添郭宪英吕德涛周娟崔晋梅

作者单位：青岛大学化学化工与环境学院

论文摘要：为了确定SiO２-TiO２薄膜制备过程的最佳烧结温度，实验将不同SiO２与TiO２掺杂比的样品分别在４００°和５００°下煅烧，然后进行与水的静态接触角测试。结果表明：在一定掺杂比范围内，SiO２的掺杂能明显提高TiO２表面亲水性，并且在此范围内５００°煅烧的产品亲水性要好于４００°煅烧的产品。经过扫描电镜SEM和X射线衍射测试分析，结果表明：５００°煅烧的产品表面颗粒粒径要大于４００°煅烧的产品的表面颗粒粒径，并且５００°煅烧的产品已有了比较明显的锐钛矿晶型特征峰，而４００°煅烧的产品还是无定形态，这说明SiO２的掺杂抑制了TiO２晶粒的生长和晶型的转变。而锐钛矿晶型的TiO２亲水性要远好于无定形的TiO２，致使５００°煅烧的产品的亲水性要好于４００°煅烧的产品的亲水性，因此５００°才是SiO２-TiO２薄膜的最佳烧结温度。

关键词： SiO2 TiO2 亲水性烧结温度

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