所有作者:王磊
作者单位:电子科技大学光电信息学院
论文摘要:选用E-PHEMT晶体管ATF541M4,设计了一个UHF频段RFID低噪声放大器。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计,通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数。在840~960MHz频率范围内噪声系数小于0。7dB,带内增益大于20dB,带内平坦度小于±0。5dB,输入输出驻波比小于1。5dB,1dB增益压缩点输入功率不小于-5dBm,三阶互调截点IIP3不小于10dBm。仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求。
关键词: 低噪声放大器 噪声系数 超高频 ADS仿真
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