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氮化铟纳米柱在InGaN缓冲层上的生长与性质

论文发布时间：[2010-03-19]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：潘杨 王倜 刘昌

作者单位：武汉大学物理科学与技术学院，声光材料教育部重点实验室

论文摘要：在氮化镓衬底上，利用InGaN缓冲层，使用射频分子束外延方法垂直生长了c轴取向的氮化铟纳米柱。纳米柱的密度可以通过铟氮比来调控。X射线衍射和电子显微镜研究了纳米柱的结构。并对生长机制进行了讨论

关键词： 氮化铟 铟镓氮缓冲层 分子束外延 纳米柱

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