基于0.15um InGaAs pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究

论文发布时间：[2010-03-29] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：唐松邵振海唐文

作者单位：电子科技大学通信与信息工程学院无线系统集成中心

论文摘要：本文介绍了一个工作在１７~４３GHz频段的四级单片集成中等功率放大器，采用０。１５um栅宽pHEMT工艺，在整个频段达到了２５±３dB的增益以及２２dBm的输出功率１dB压缩点。输入级电路采用行波输入/功率合成输出结构，具有良好的宽带阻抗匹配特性，同时可在K-Ka产生二倍频或者三倍频。工作于二倍频偏置状态，该电路在输入功率９dBm条件下，１８-４４GHz频段内可达到典型值１５dBm的输出功率；工作于三倍频偏置状态，该电路在输入功率９dBm条件下，１８-３６GHz频段内可达到典型值１０dBm的输出功率。

关键词：单片微波集成电路中等功率放大器二倍频器三倍频器

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