所有作者：曾晓东 朱东济 曹长庆
作者单位：西安电子科技大学技术物理学院
论文摘要：基于偏轴高斯光束模型讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性，深入探讨了bar型激光器的远场分布，给出bar型半导体激光器的远场光强分布模型及数值仿真结果。结果表明，在距发光面较近处，各emitter辐射的光斑呈分离状；随着距离增加，各光斑开始交叠，甚至出现平顶；当距离足够远，bar型半导体激光器的远场光斑与单个emitter的辐射光斑几乎没有差异。该模型为定量描述bar型大功率半导体激光器的远场分布、合理设计光学整形系统以及正确评价光束质量提供了重要依据。
关键词： 大功率半导体激光器 远场分布 阵列 仿真
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