一种新型全集成CMOS低噪声放大器优化设计方法

论文发布时间：[2010-02-12] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：黄晓华王先锋陈抗生周金芳

作者单位：浙江大学信息与电子工程学系电子信息技术与系统研究所

论文摘要：提出一种以几何规划作为全局搜索算法的全集成低噪声放大器优化方法。在优化过程中，将功耗、输入匹配、器件尺寸等性能参数表示为约束条件，将片上电感寄生电阻噪声和晶体管噪声表示为优化目标，从而将复杂的全集成LNA优化问题转化为一个能够进行高效求解的几何规划问题。版图后仿真结果表明，在２。４ GHz工作频率下，低噪放的功耗为４。８ mW，正向增益S２１可达１７。４ dB，反射参数S１１、S２２均小于-２０ dB，三阶互调点IIP３为-４。２ dBm，噪声系数NF仅为２。０ dB

关键词：全集成 CMOS低噪声放大器输入匹配功耗约束噪声优化

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