微/纳米结构聚吡咯修饰的神经微电极

论文发布时间：[2010-02-04] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：邓萌陈红征汪茫

作者单位：浙江大学高分子科学与工程学系；高分子合成与功能构造教育部重点实验室，杭州(310027)

论文摘要：本文采用电化学聚合的方法，在神经探针的微电极表面精确沉积一层导电高分子聚吡咯。通过改变掺杂剂种类、合成方法、反应时间等合成条件，得到了一系列厚度和形貌不同的聚吡咯涂层。在标准三电极体系下，利用恒电位仪与频率响应分析仪对神经微电极的阻抗性能进行了测试。对比聚吡咯合成前后微电极的电化学阻抗谱发现，经过参数优化后，聚吡咯表面修饰的微电极阻抗普遍降低。在神经信号相关的１ kHz频率处，覆盖有聚吡咯涂层的微电极阻抗最小值约为１０ kΩ，相比原始阻抗５００ kΩ，降幅非常大。扫描电子显微镜分析表明，聚吡咯具有突出于平面电极表面的微/纳米结构，相比平面甚至凹陷的微电极原始状态，可以增加神经微电极与神经元细胞间的接触面积，更加有利于神经电信号的传输，对神经探针在深层脑部刺激和记录性能的提高具有重要的意义。

关键词：聚吡咯神经微电极电化学阻抗谱

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