种大幅度提高镶嵌在二氧化硅中的硅纳米晶的光致发光强度的方法

论文发布时间：[2010-01-25] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：谢志强陈丹陆明

作者单位：复旦大学光科学与工程系

论文摘要：为了大幅度地提高镶嵌在SiO２中的硅纳米晶（SNSO）的光致发光(PL)强度，采用了对硅纳米晶前面和背面掺杂三价Ce离子并进行氢钝化的方法。SNSO由SiO薄膜高温退火下产生相分离过程后得到。本文报道的方法，其关键在于背面掺杂。由于在SiO薄膜和CeF３之间设有SiO２阻挡层，因此在１１００&#６１６１６；C退火后能够形成硅纳米晶而同时Ce掺杂又不影响硅纳米晶的形成。随后，在已有的SNSO上蒸镀CeF３进行前面掺杂，并在５００&#６１６１６；C中扩散退火。本工作中，双面掺杂将PL强度提高了７。３倍，再在６５０&#６１６１６；C下进行氢钝化后，最终将PL强度提高１４。６倍。

关键词：硅纳米晶光致发光掺杂

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