所有作者:刘为方 姜鹏 包定华
作者单位:中山大学理工学院
论文摘要:采用化学溶液沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si 衬底上制备了(Bi3。15Nd0。85)(NixTi1-x)3O12 (BNNT)薄膜,研究了Ni掺杂量对薄膜结构和电性能的影响。Ni掺杂增加了介电常数,对于x=0。10的Ni掺杂量,1kHz时的介电常数为297。同时,薄膜显示饱和的电滞回线。随Ni掺杂量增加,剩余极化强度和矫顽场强均减小。x=0。10, 2Pr 和2Ec 分别为17。7 μC/cm2和175 kV/cm。
关键词: Nd/Ni共掺钛酸铋 薄膜 铁电 介电
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