InGaAs/InGaAsP/Si SAGCM-APD的频率响应分析

论文发布时间：[2010-01-06] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：陶彦耘黄辉张欣张帅

作者单位：北京邮电大学信息光子学与光通信研究院

论文摘要：本文从载流子浓度连续性方程出发，利用矩阵代数的分析方法，分析器件每层结构的响应特性，从而推算出InGaAs/InGaAsP/Si SAGCM-APD的频率响应解析表达式。本文分析了增益和结构中不同区域厚度的变化对频率响应特性的影响，结果表明：３dB带宽随着增益的增大而减小，随着倍增区、吸收区、电荷区、渐变区厚度的增大而减小，但是在电荷区与渐变区厚度取值的理想范围内，电荷区与渐变区厚度的变化对３dB带宽和增益带宽积影响不大。在高增益条件下，倍增区厚度对３dB带宽和增益带宽积有显著影响。

关键词： SAGCM-APD 频率响应 3dB带宽增益带宽积

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