Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能的研究

论文发布时间：[2009-12-30] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：丁萍潘新花叶志镇

作者单位：浙江大学硅材料国家重点实验室

论文摘要：采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法，在n-Si (００１)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜，其电阻率为４４。１８ Ω cm，空穴浓度为３。７８×１０１６ cm-３，霍尔迁移率为３。７４ cm２V-１s-１，ZnO薄膜在室温下放置九个月，其p型性能基本保持不变。I-V曲线显示良好的整流特性，进一步证明了Sb掺杂ZnO薄膜的p型导电性。低温光致发光（PL）谱测试，确认Sb掺杂p型ZnO薄膜存在两种受主态，其受主能级分别为１６１和３３６ meV，分析认为３３６ meV深受主为Zn空位；１６１ meV浅受主为由于Sb掺杂产生的SbZn-２VZn缺陷复合体。

关键词： p型ZnO Sb掺杂脉冲激光沉积

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