磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

论文发布时间：[2009-11-18] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：张莹莹王雄朱夏明原子健吴惠桢

作者单位：浙江大学物理系

论文摘要：采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In２O３晶体薄膜。该薄膜具有（１１１）晶面择优取向，晶粒尺寸达到３３ nm。利用光刻工艺制作了以In２O３晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管。In２O３薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性，场效应迁移率达到６。３ cm２/V&#８２２６；s，开关电流比为３×１０３，阈值电压为-０。９ V。这些结果表明，In２O３薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用。

关键词： In2O3晶体薄膜磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率

免费下载《磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管》PDF全文（已停止下载）
　　本站“论文下载”文章收集整理于“中国科技论文在线”，由于各种原因，本站已暂停论文下载！请前往“中国科技论文在线http://www.paper.edu.cn/”免费下载！

〖返回物理学论文列表〗

下一篇：Klein-Gordon Bound States in Coulombic Vector and Scalar Singular Potentials with Nonvanishing Centr