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CMOS集成电路的稳定性设计

论文发布时间：[2009-11-20]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：况维

作者单位：德州大学电气工程学院

论文摘要：Negative bias temperature instability (NBTI)， gate oxide breakdown (BD)， and HCI (hot carrier injection) 对于 Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS)来说正在成为主要的稳定性影响因素，特别对于纳米级尺寸的器件。 本文从器件的物理机制到电路设计总结了CMOS integrated circuit (IC) 关于稳定性的最近研究发展。 关于CMOS IC design for reliability 的工具和算法也在本文中有所阐述。 本文给出了关于CMOS IC design for reliability 的重点研究热点的总结。

关键词： 集成电路 仿真 热电子效应 磨损效应 稳定性 击穿

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