电沉积Cu(In,Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜及表征

论文发布时间：[2009-11-03] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：张治安赖延清匡三双刘芳洋刘军李劼刘业翔

作者单位：中南大学冶金科学与工程学院

论文摘要：在５５０℃下的H２S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In，Ga)Se２ (CIGS)预置层，制备了太阳电池光吸收层Cu(In，Ga)(Se，S)２(CIGSS)薄膜。采用X射线能量色散谱(EDS)、俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射（XRD）和拉曼光谱(RS)对退火前后的薄膜进行表征。结果表明，H２S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入，同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相。此外，H２S退火还可改善薄膜的结晶性能，并使S和Ga进入黄铜矿结构，薄膜晶格参数变小。

关键词： Cu(In Ga)(Se S)2 Cu(In Ga)Se2 电沉积 H2S退火太阳电池

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