同步辐射光电子能谱研究PbTe-Ge异质结能带

论文发布时间：[2009-11-25] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：蔡春锋吴惠桢斯剑霄张文华许杨朱俊发

作者单位：浙江大学物理系

论文摘要：我们利用分子束外延方法在Ge(１００)衬底上生长了具有高度[１００]取向的PbTe薄膜，X-射线衍射测量结果显示Ge衬底上生长PbTe薄膜应变完全弛豫。采用同步辐射光电子能谱技术测量了PbTe/Ge(１００)异质结结构的带阶：价带带阶ΔEV=０。０７±０。１２eV，导带带阶ΔEC=０。２７±０。１２eV，结果符合Anderson电子亲和能定则，即导带带阶为异质结两侧材料电子亲和能的差。PbTe/Ge(１００)异质结界面能带的确定，有益于PbTe/Ge异质结在电子、光电子器件领域的应用。

关键词：同步辐射光电子能谱 PbTe/Ge异质结能带带阶

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