a-GaN/r-Al2O3 模板上非极性a面ZnO薄膜的PLD生长

论文发布时间：[2009-11-06] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：戴江南韩祥云余晨辉吴志浩何清华孙玉芹高义华陈长清

作者单位：华中科技大学/武汉光电国家实验室

论文摘要：在本论文中，我们报道利用脉冲激光沉积（PLD：Pulsed Laser Deposition）方法采用a-GaN/r-Al２O３模板作为衬底进行非极性面ZnO薄膜的材料生长及测试分析研究。重点研究不同生长温度对ZnO薄膜的晶体质量、表面形貌、应变状态以及光学性质等性能的影响。研究结果表明，随着生长温度的增加，ZnO外延层逐渐向单一a面晶体取向转变，６００ ℃时沉积的氧化锌薄膜材料的结晶性能最好，其高分辨X射线衍射仪的半峰宽为０。２８°。因此表明采用a-GaN/r-Al２O３模板作为衬底是获得高晶体质量a面ZnO薄膜的有效方法之一。

关键词： A面ZnO a-GaN/r-Al2O3 模板脉冲激光沉积（PLD）金属有机化学气相沉积（MOCVD

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