直流偏压对TiO2/p+-Si异质结中TiO2薄膜的光致发光的影响

论文发布时间：[2009-10-19] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：章圆圆马向阳陈培良李东升杨德仁

作者单位：浙江大学硅材料国家重点实验室，材料科学与工程系，浙江杭州（310027）

论文摘要：利用直流磁控反应溅射法在重掺硼硅片（p+-Si）衬底上制备了金红石相TiO２薄膜，从而形成TiO２/p+-Si异质结。我们研究了该异质结被施加不同偏压时TiO２薄膜的光致发光的变化情况。结果表明，在正向偏压（p+-Si衬底接正电压）和反向偏压（p+-Si衬底接负电压）下，TiO２薄膜在８１５nm左右的发光强度均随偏压值的增大而减弱。从上述异质结在不同偏压下的能带图出发，我们给出了金红石相TiO２薄膜在不同偏压下光致发光发生变化的机理。

关键词：金红石相TiO2 Si 异质结光致发光

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